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碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長(zhǎng)較常見(jiàn)，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運(yùn)法（PVT），該方法是一種氣相生長(zhǎng)方法，生長(zhǎng)溫度高，對(duì)原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)外對(duì)PVT工藝的開(kāi)發(fā)投入了大量的時(shí)間和精力，SiC晶體的質(zhì)量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應(yīng)力。組織缺陷的存在會(huì)惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應(yīng)用，而應(yīng)力的存在則會(huì)使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應(yīng)力就顯...

您對(duì)真空氣氛燒結(jié)爐了解多少？知道它采用什么原理嗎？

真空氣氛燒結(jié)爐用于特種陶瓷，精密陶瓷，熒光粉，發(fā)光粉，粉末冶金，鋰電池材料等，無(wú)機(jī)材料的燒結(jié)，高溫?zé)Y(jié)爐廣泛應(yīng)用于1050度以下電子產(chǎn)品在保護(hù)氣氛或空氣中的預(yù)燒、燒成或熱處理工藝，包括導(dǎo)體漿料、電阻漿料及介質(zhì)等厚膜電路，電阻、電容、電感等電子元件的端頭燒銀、燒成，電路管殼、晶振等元件的玻璃緣子封裝等。燒結(jié)爐在鋼鐵行業(yè)、冶金行業(yè)、電子行業(yè)等都有廣泛應(yīng)用。燒結(jié)爐主要用于陶瓷粉體、陶瓷插芯和其他氧化鋯陶瓷的燒結(jié)，金剛石鋸片的燒結(jié)，也可用于銅材，鋼帶退火等熱處理。也用于金屬粉末在保護(hù)...

第三代半導(dǎo)體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價(jià)鍵為主結(jié)合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周?chē)鸀镃原子。SiC所有的結(jié)構(gòu)均由Si-C四面體以不同的堆積方式構(gòu)成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質(zhì)異型晶體結(jié)構(gòu)有200多種，其中六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近1...

ITO靶材常壓燒結(jié)工藝進(jìn)展

20世紀(jì)90年代初興起了一種新的靶材燒結(jié)方法-常壓燒結(jié)法，它是指在一定氣氛和溫度條件下對(duì)ITO靶材的素坯進(jìn)行燒結(jié)，通過(guò)對(duì)燒結(jié)過(guò)程中各因素的控制，來(lái)有效控制ITO素坯晶粒的生長(zhǎng)，從而達(dá)到靶材的晶粒分布均勻性及高致密化，該方法對(duì)粉末的燒結(jié)活性和靶材變形的控制都有很高的要求。通常靶材尺寸越大，濺射到平板上的拼縫就越少，價(jià)值也越高。國(guó)外可以做寬1200毫米、長(zhǎng)近3000毫米的單塊靶材，國(guó)內(nèi)只能制造不超過(guò)800毫米寬的。日企ITO制備工藝1.日本東曹公司日本東曹公司的的技術(shù)方案中，將粒...

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程

等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。由于PECVD技術(shù)是通過(guò)應(yīng)氣體放電來(lái)制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說(shuō)來(lái)，采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長(zhǎng)主要包含以下三個(gè)基本過(guò)程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長(zhǎng)...

ITO靶材燒結(jié)工藝

ITO(氧化銦錫)是制備ITO導(dǎo)電玻璃的重要原料。ITO靶材經(jīng)濺射后可在玻璃上形成透明ITO導(dǎo)電薄膜，其性能是決定導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)效率、成品率的關(guān)鍵因素。ITO靶材性能的重要指標(biāo)是成分、相結(jié)構(gòu)和密度，ITO濺射靶材的成分為In2O3+SnO2，氧化銦與氧化錫成分配比通常為90:10(質(zhì)量比)，在ITO靶材的生產(chǎn)過(guò)程中必須嚴(yán)格控制化學(xué)氧含量及雜質(zhì)含量，以確保靶材純度。ITO靶材制備流程ITO靶材的成型工藝制備出成分均勻、致密度較高的初坯，對(duì)經(jīng)過(guò)低溫?zé)崦撝蜔Y(jié)后工藝處理得...

ITO靶材應(yīng)用及發(fā)展前景

氧化銦錫(ITO)晶體結(jié)構(gòu)氧化銦錫(ITO)是通過(guò)用錫摻雜In2O3而形成的n型半導(dǎo)體，晶體結(jié)構(gòu)是In2O3結(jié)構(gòu)，其中In2O3結(jié)構(gòu)具有兩種形態(tài)，一種是立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，另一種是六方剛玉結(jié)構(gòu)。立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)是常見(jiàn)的In2O3結(jié)構(gòu)，如圖1所示。當(dāng)將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時(shí)，一種高度簡(jiǎn)并的n型半導(dǎo)體得以產(chǎn)生，其中一定數(shù)量的In3+位置被Sn4+取代了，導(dǎo)致ITO晶格中出現(xiàn)大量點(diǎn)缺陷，同時(shí)產(chǎn)生大量自由電子，點(diǎn)缺陷和自由電子可充當(dāng)電場(chǎng)下的載流子，因此表現(xiàn)出了優(yōu)異的導(dǎo)電...

分析真空燒結(jié)爐的故障現(xiàn)象、故障原因和處理辦法

真空燒結(jié)爐是一款特別適合硬質(zhì)合金行業(yè)的性能智能化電爐。該燒結(jié)爐是一種間歇式氣體（真空）保護(hù)爐，按照燒結(jié)工藝時(shí)間的需要可以單套電源配置多臺(tái)電爐，分別對(duì)單個(gè)爐子進(jìn)行通電升溫和段電降溫，實(shí)現(xiàn)連續(xù)工作。那么該設(shè)備在日常中應(yīng)該如何檢修？出現(xiàn)故障后又應(yīng)該如何進(jìn)行有效的處理？下面請(qǐng)跟隨皓越一起來(lái)學(xué)習(xí)吧！真空燒結(jié)爐的日常檢修：1、對(duì)有氣鎮(zhèn)功能的其空泵，應(yīng)在每日開(kāi)爐前檢查并根據(jù)需耍開(kāi)啟30min，以排除泵油中的水分。2、經(jīng)常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統(tǒng)的壓力以及冷卻水的流動(dòng)情況。3、對(duì)爐門(mén)的...